金屬材料檢測在鋼鐵、鋁、銅等產業中至關重要，而光學發射光譜儀（OES）長期依賴於光電倍增管（PMT）技術。然而，隨著半導體技術的進步，CMOS（互補金屬氧化半導體）檢測器正在成為新一代金屬分析儀的主流選擇。CMOS 感測器可同時偵測完整波長範圍（120nm – 780nm），並提供更高的靈敏度、穩定性及靈活性，超越了 PMT 在多方面的限制。
「PMT 感測器需要為每個元素配置獨立檢測單元，而 CMOS 則可同時偵測完整光譜，提升效率並減少硬體需求。」
在傳統 PMT 系統中，每個 PMT 僅能偵測單一特定元素，因此儀器需要安裝多個 PMT 來涵蓋不同元素，這使得系統配置極為複雜，且難以調整。相較之下，CMOS+T 技術可透過單一感測器同時擷取完整光譜，並能透過軟體更新擴展元素偵測能力，減少硬體調整的需求。此外，CMOS 採用固態設計，不僅減少了維護需求，還提升了整體檢測速度，使低合金鋼的測試時間縮短至 20 秒內，適用於現場即時分析。
「CMOS 技術的高效能與靈活性，使其成為未來金屬分析儀的關鍵技術，適用於各種測試環境。」
PMT 雖然在靈敏度上仍然具備優勢，但其易受環境因素影響，如溫度變化可能導致測量準確度降低。而 CMOS 檢測器的設計克服了這一問題，提供更穩定的數據輸出，並內建雜訊抑制技術，確保長期測試的一致性。此外，PMT 儀器若要增加新的元素偵測，通常需要更換硬體並進行重新校準，這不僅費時，還可能影響生產流程。然而，CMOS 系統可透過軟體升級新增元素偵測功能，使未來擴展更加靈活且具成本效益。
「CMOS 技術不僅降低測試設備的維護成本，還能透過軟體升級快速擴充偵測能力(如新增元素或加大分析範圍)，為企業提供長遠投資價值。」
最新的 SPECTROLAB S 分析儀採用了 CMOS+T 技術，結合全光譜檢測能力與高靈敏度，突破了 PMT 系統的極限。CMOS 感測器不僅能確保高精度測量，還能在元素波長發生干涉時，自動選擇替代波長進行補償，避免因單一感測器故障而導致測試無法進行。隨著金屬分析市場對於高效能、低成本且靈活性的需求提升，CMOS 技術預計將成為未來 OES 分析儀的標準配置。
「CMOS 檢測技術讓金屬分析儀具備更高精度、更快速度及更強擴充性，成為未來工業標準。」
| 比較項目 | PMT（光電倍增管） | CMOS（互補金屬氧化半導體） |
|---|---|---|
| 靈敏度 | 高，但需多個 PMT 檢測不同元素 | 高，且具全光譜捕捉能力 |
| 偵測範圍 | 受限於 80 條波長 | 120nm - 780nm，全光譜覆蓋 |
| 元素偵測能力 | 每個 PMT 僅能偵測單一元素 | 可同時偵測多種元素，靈活性高 |
| 系統穩定性 | 易受溫度影響，需額外校正 | 內建雜訊抑制技術，穩定性高 |
| 維護與擴展性 | 更換元素需硬體改裝，成本高 | 透過軟體更新即可擴展偵測範圍 |
| 測量速度 | 需較長時間測量 | 測量速度更快，20 秒內完成測試 |
| 壽命與耐用性 | 易損壞，維修成本高 | 使用壽命長，可透過替代波長補償 |